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ARTICLE长鑫科技第五代DRAM技术平台G5 Platform进入量产，并同步推出基于该平台的LPDDR5X产品。
长鑫科技称，G5 Platform采用四重图形化工艺，存储单元有效区半间距达到11.95纳米；与上一代平台相比，每片晶圆的芯片颗粒数至少提升50%。
首批量产产品为两款24Gb LPDDR5X，分别采用496球和245球封装，面向智能手机及便携式消费电子设备。
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长鑫科技第五代DRAM技术平台量产
长鑫科技第五代DRAM技术平台G5Platform进入量产，并同步推出基于该平台的LPDDR5X产品。长鑫科技称，G5Platform采用四重图形化工艺，存储单元有效区半间距达到11.95纳米；与上一代平台相…
长鑫科技第五代DRAM技术平台量产
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长鑫科技第五代DRAM技术平台量产
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发布时间
2026-09-21 13:26
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